作者：韦亚一 字数：15万字 出版社：电子工业出版社

光刻是集成电路制造的核心技术，光刻工艺成本已经超出集成电路制造总成本的三分之一。在集成电路制造的诸多工艺单元中，只有光刻工艺可以在硅片上产生图形，从而完成器件和电路三维结构的制造。计算光刻被公认为是一种可以进一步提高光刻成像质量和工艺窗口的有效手段。基于光刻成像模型，计算光刻不仅可以对光源的照明方式做优化，对掩模上图形的形状和尺寸做修正，还可以从工艺难度的角度对设计版图提出修改意见，最终保证光刻工艺有足够的分辨率和工艺窗口。本书共7章，首先对集成电路设计与制造的流程做简要介绍，接着介绍集成电路物理设计版图设计的全流程，然后介绍光刻模型、分辨率增强技术、刻蚀效应修正、可制造性设计，最后介绍设计与工艺协同优化。本书内容紧扣先进技术节点集成电路制造的实际情况，涵盖计算光刻与版图优化的发展状态和未来趋势，系统介绍了计算光刻与刻蚀的理论，论述了版图设计与制造工艺的关系，以及版图设计对制造良率的影响，讲述和讨论了版图设计与制造工艺协同优化的概念和方法论，并结合具体实施案例介绍了业界的具体做法。本书不仅适合集成电路设计与制造领域的从业者阅读，而且适合高等院校微电子相关专业的本科生、研究生阅读和参考。

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